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IXFK 120N20
IXFX 120N20
Fig. 7. Gate Charge Characteristic Curve
16
20000
Fig. 8. Capacitance Curves
14
12
10
V DS =100V
I D =60A
I G =10mA
10000
5000
Ciss
8
6
4
2
0
1000
500
Coss
Crss
f = 1 MHz
0
100
200
300
400
500
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Gate Charge - nC
Fig.9. SourceCurrentvs.SourcetoDrainVoltage
180
160
140
120
100
V DS - Volts
80
60
40
20
0
T J =125 O C
T J =25 O C
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V SD - Volts
Fig. 10. Maximum Thermal Impedance
0.40
0.20
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
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